在掃描電鏡（SEM）里，樣品容易充電是因為電子束轟擊后，樣品表面的電子無法及時泄放，累積成電荷，導致圖像發(fā)亮、漂移、甚至嚴重失真。解決思路主要是 減少電子積累 或 提供導電通道。

解決辦法

導電涂層處理

在非導電或弱導電樣品表面，噴鍍一層 金、鉑、碳 等導電膜。

厚度要均勻，過薄可能不能有效泄放電荷，過厚會掩蓋表面細節(jié)。

低真空/環(huán)境電鏡模式（ESEM）

使用低真空或環(huán)境模式，引入少量氣體分子（如水蒸氣），通過電離作用中和積累的電荷。

適合不便鍍膜的樣品。

降低電子束強度

降低 加速電壓（比如從 20 kV 降到 1–5 kV），減少入射電子量。

減小 束流，降低電荷累積速率。

增加導電路徑

用導電膠或碳膠帶把樣品邊緣與樣品臺金屬底座連接。

保證樣品與樣品夾、樣品桿良好接觸。

優(yōu)化觀測方式

使用 背散射電子（BSE）模式，對充電更不敏感。

縮小觀察范圍，減少電子束在表面掃描面積。